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Ga-doped相关论文
Ga掺杂ZnO导电粉的制备与工艺优化
摘要:通过正交实验设计,对Ga掺杂ZnO导电粉的制备工艺进行优化,确定出其最优参数为:掺杂比2m01%,反应温度85℃,反应时间10h,煅烧温度550℃......
期刊
Ga掺杂
ZnO导电粉
正交实验
均相沉淀
Ga-doped
conductive ZnO powder
orthogonal experimental
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